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電鍍層在結晶過程中，當有添加劑加入情況下，會呈現出與通常情況下不同的生長特點。通常情況下，鍍層的結晶成長速度與電流密度大小成正比，隨著時間的延長，高電流區(qū)的鍍層會越來越厚，這樣即使在平板形的基體上，四周邊角的鍍層也會比中間部位厚，對于高低不平的基體，這種鍍層會擴大不平性，即所謂幾何整平作用。
在酸性光亮鍍銅中，像H、S、D和Cl一這些添加物在陰極的高電流區(qū)會起到阻擋鍍層結晶生長的作用，使鍍層在低電流區(qū)的沉積速度大于高電流區(qū)，以一種V形坑為例，在添加劑的作用下，坑內和坑底的鍍層生長的速度會大于坑邊和坑外的鍍層，一定時間后這個坑會由于坑內鍍層的生長而被填平，這就是正整平作用。添加劑除了有正整平作用外，還使結晶過程中晶核的產生速度大于其長大成長的速度，這會使鍍層的結晶變得細小，從而達成對光全反射的細度，因此在酸性光亮鍍銅中可以得到光亮整平的鍍層。其他光亮劑的作用機理大致也是這樣的。
