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【專利號(申請?zhí)?】200480011532.X
【公開(公告)號】CN1781200
【申請人(專利權)】住友鈦株式會社
【申請日期】2004-4-16 0:00:00
【公開(公告)日】2006-5-31 0:00:00
本發(fā)明的課題在于在不妨礙初始充電容量的值的情況下，大幅度地改善作為其缺點的初始效率低的情況，上述初始充電容量為將SiO用于負極(30)的鋰蓄電池中特有的。而且能夠改善循環(huán)特性。為了實現(xiàn)這些效果，在集電體(31)的表面上，作為負極活性物質層(32)，形成通過真空蒸鍍或濺射形成的氧化硅的薄膜。最好，通過離子電鍍法形成薄膜。氧化硅為SiOx(0.5≤x＜1.0)，膜厚在 0.1～50μm的范圍內。真空蒸鍍源采用磨損試驗的重量減少率(磨損值)在1.0％或以下的SiO析出體。在真空蒸鍍時，在真空中或惰性氣氛中對集電體(31)的表面清潔處理后，在不暴露于大氣氣氛中形成氧化硅的薄膜。
