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【專利號(申請?zhí)?】03816299.7
【公開(公告)號】CN1679154
【申請人(專利權(quán))】新加坡國立大學(xué);新加坡科技研究局
【申請日期】2003-5-14 0:00:00
【公開(公告)日】2005-10-5 0:00:00
本發(fā)明涉及一種在包括多個半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體晶片上生成銅凸塊的方法。所述芯片或晶片具有包括多個半導(dǎo)體器件的層和具有開口的鈍化層。在所述開口內(nèi)的傳導(dǎo)襯墊與所述半導(dǎo)體器件相接觸。在所述方法中，將一種傳導(dǎo)性粘著材料沉積到所述傳導(dǎo)襯墊上來形成粘著層。將一種傳導(dǎo)性金屬沉積到所述粘著層上來形成阻擋層，并使用酸浸溶液從所述鈍化層上除去可能粘著的傳導(dǎo)性粘著材料顆粒。然后，將銅沉積到所述阻擋層上來形成所述銅凸塊。所述沉積步驟的每一步均以無電鍍方式進行。而且，本發(fā)明還提供了用于上述處理的鍍液和由此制得的晶片和微芯片。
