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【專利號(hào)(申請(qǐng)?zhí)?】200510026607.8
【公開(kāi)(公告)號(hào)】CN1694276
【申請(qǐng)人(專利權(quán))】上海交通大學(xué)
【申請(qǐng)日期】2005-6-9 0:00:00
【公開(kāi)(公告)日】2005-11-9 0:00:00
一種基于微機(jī)電系統(tǒng)的巨磁阻抗效應(yīng)磁敏器件的制作方法。屬于傳感器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)，對(duì)雙面氧化的硅片進(jìn)行處理，得到雙面套刻對(duì)準(zhǔn)符號(hào)，以便曝光時(shí)提高對(duì)準(zhǔn)精度；采用準(zhǔn)-LIGA光刻技術(shù)和微電鍍技術(shù)制備曲折狀三明治結(jié)構(gòu)FeNi/Cu/FeNi軟磁多層膜材料；采用物理刻蝕技術(shù)去除底層，避免濕法刻蝕工藝帶來(lái)的鉆蝕現(xiàn)象；通過(guò)選擇合適的永磁體對(duì)多層膜的巨磁阻抗效應(yīng)曲線進(jìn)行偏置，使磁敏器件工作在線性區(qū)域。本發(fā)明采用 MEMS技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)其制備工藝與IC工藝兼容，可與配套的檢測(cè)電路制作在一起，實(shí)現(xiàn)整個(gè)傳感器的薄膜化、小型化，并具有高靈敏度、響應(yīng)速度快，性能重復(fù)性好、溫度穩(wěn)定性好及易于大批量生產(chǎn)。
