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電鍍銅方法、電鍍銅用純銅陽極以及使用該方法和陽極進行電鍍而得到的粒子附著少的半導(dǎo)體晶片.pdf

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【專利號(申請?zhí)?】02817075.X

【公開(公告)號】CN1549876

【申請人(專利權(quán))】株式會社日礦材料

【申請日期】2002-9-5 0:00:00

【公開(公告)日】2004-11-24 0:00:00

本發(fā)明涉及電鍍銅方法,其特征在于當進行電鍍銅時采用純銅作為陽極,和采用晶粒直徑為10μm或更小、或為60μm或更大、或為非再結(jié)晶陽極的純銅陽極進行電鍍銅。本發(fā)明提供了電鍍銅方法和在這種電鍍銅方法中使用的電鍍銅用純銅陽極,在進行電鍍銅時,使用所述方法能抑制電鍍浴內(nèi)陽極一側(cè)產(chǎn)生粒子如淤渣,能防止粒子附著到半導(dǎo)體晶片上;本發(fā)明還涉及使用上述方法和陽極進行電鍍而得到的粒子附著少的半導(dǎo)體晶片。

電鍍銅方法、電鍍銅用純銅陽極以及使用該方法和陽極進行電鍍而得到的粒子附著少的半導(dǎo)體晶片.pdf
 

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