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【專利號(hào)(申請?zhí)?】03821875.5
【公開(公告)號(hào)】CN1682352
【申請人(專利權(quán))】微米技術(shù)有限公司
【申請日期】2003-7-10 0:00:00
【公開(公告)日】2005-10-12 0:00:00
本發(fā)明包括電化學(xué)處理半導(dǎo)體基片的方法。本發(fā)明包括一種電鍍物質(zhì)的方法。提供一種被限定第一區(qū)域(60)及第二區(qū)域(70)的基片。第一區(qū)域和第二區(qū)域可以通過單掩模的方法加以限定，因此，可以認(rèn)為是彼此相關(guān)的自調(diào)整的。第一導(dǎo)電材料(50)是在基片第一區(qū)域形成的，第二導(dǎo)電材料(42)是在第二區(qū)域形成的。將第一和第二導(dǎo)電材料置于一種電解溶液中，同時(shí)對第一和第二導(dǎo)電材料提供電流。在將第一和第二導(dǎo)電材料置于電解溶液的過程中，所需物質(zhì)即被選擇性地電鍍在第一導(dǎo)電材料上。本發(fā)明也包括形成電容器結(jié)構(gòu)的方法。
