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【專利號(申請?zhí)?】200410090459.1
【公開(公告)號】CN1780001
【申請人(專利權(quán))】晶元光電股份有限公司
【申請日期】2004-11-18 0:00:00
【公開(公告)日】2006-5-31 0:00:00
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制作方法，本發(fā)明是在該第一電極與部分的反射層區(qū)域外鍍上一阻隔壁，再以電鍍方式在前述非阻隔壁的區(qū)域上形成一金屬柱，利用一準(zhǔn)分子激光均勻照射在藍(lán)寶石基底上，促使其脫離該半導(dǎo)體緩沖層，以及以腐蝕法腐蝕該第一導(dǎo)電性外延層的表面，使其表面形成一粗糙面；通過該導(dǎo)熱良好的金屬柱使得封裝后的半導(dǎo)體發(fā)光元件的導(dǎo)電電極具有良好的散熱性，需大電流的高功率藍(lán)色及綠色發(fā)光二極管將可使元件本身具有良好的散熱性，同時，表面形成粗糙表面的第一導(dǎo)電性外延層的光的取出效率將會因全反射機率的降低而增加，從而使得半導(dǎo)體發(fā)光元件的亮度增加。
