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【專利號(hào)(申請(qǐng)?zhí)?】200410087477.4
【公開(kāi)(公告)號(hào)】CN1610091
【申請(qǐng)人(專利權(quán))】學(xué)校法人早稻田大學(xué);東京応化工業(yè)株式會(huì)社
【申請(qǐng)日期】2004-10-15 0:00:00
【公開(kāi)(公告)日】2005-4-27 0:00:00
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體多層布線板的制造方法，該方法使得向基板上形成低介電常數(shù)氧化硅系層間絕緣層、通過(guò)雙大馬士革法形成布線形成空間、在該空間上形成由有機(jī)單分子膜構(gòu)成的致密且薄的防擴(kuò)散膜、向上述空間上形成布線層的這些的全部工序完全濕法化、從而使制造工序簡(jiǎn)單化、降低制造成本。在使用旋涂式玻璃材料形成于基板上的低介電常數(shù)的氧化硅系層間絕緣層中形成布線層形成空間，然后，根據(jù)需要在氧化性氣氛中紫外線照射，在絕緣層表面進(jìn)行處理以形成Si-OH鍵，然后，在上述布線層形成空間內(nèi)側(cè)使用有機(jī)硅烷化合物使使硅烷系單分子層膜密合，使用鈀化合物水溶液使該單分子層膜表面催化劑化，在該催化劑化的單分子層膜中通過(guò)無(wú)電解電鍍形成防銅擴(kuò)散性高的電鍍膜，在該防銅擴(kuò)散膜上形成銅鍍層，由此形成布線層。
