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酸性半光亮鍍錫液的性能
(一)沉積速度
用5cm×10cm的銅霍爾槽樣板，以1A總電流在25℃下鍍5min，然后用X一射線熒光測厚儀分別測定AMT-1及S公司半光亮錫液的沉積速度，結果如圖11-6所示，由圖可見，在2A／dm2時它們的沉積速度分別為4．7μm／5min和4．5μm／5min。
圖11-6 AMT-1及S公司半光亮錫液沉積速度的比較
(二)分散能力(Throwing Power)
用遠近陰極比為2：1的哈林(Haring)槽，陰極用銅板，分別在AMT一1和S公司鍍液中，以1．0A／dm2、1．5A／dm2和2A／ dm2的電流密度，在25℃下施鍍5min，清洗干燥后稱量遠、近陰極在施鍍前后的增重，再按下式計算分散能力。
式中M2--遠陰極鍍層的增重；
M1--近陰極鍍層的增重。
測量結果如圖ll-7所示。由圖可見，在2．0A／dm2時AMT一1液的分散能力為84％，S公司的為75％。
圖11- 7 AMT-1及S公司半光亮鍍錫液分散能力的比較
(三)覆蓋能力(Covering Power)
用φ10mm× l00mm銅管以水平夾角450分別掛在2L的AMT-1和S公司鍍液中，以0．5A／dm2、1．0A／dm2、1．5A／dm2、2．0A／dm2和2．5A／dm2的電流密度，在25℃下電鍍5min，然后剖開銅管，測量兩端管內(nèi)錫層的長度，再按下式計算覆蓋能力。
式中 a--左端管內(nèi)錫層的長度；
b--右端管內(nèi)錫層的長度；
L--銅管的總長度。
測量結果如圖ll-8所示。由圖可見，兩種鍍液的覆蓋能力相當，在2．0A／dm2時覆蓋能力達82％，在2．5A／dm2時可達93％。
圖11-8 AMT一1及S公司半光亮鍍錫液覆蓋能力的比較
(四)電流效率
用銅庫侖計以電流效率l00％的硫酸銅溶液為參照液，分別測定AMT-1和S公司鍍液在2A／dm2，25℃下的電流效率分別為98．5％和98．2％，表明兩種鍍液的電流效率十分接近。
(五)銅離子的影響
用霍爾槽試驗法，以銅極做陰極，在AMT-1鍍液中分別加入不同量的銅離子，并在總電流1A，25℃下施鍍5min，取出后觀察鍍層外觀的變化，結果表明，在鍍液中加入120mg／L Cu2+時，對0．5～5A／dm2電流密度區(qū)的鍍層外觀無影響。當Cu2+濃度達240mg／L時，則在2．5A／dm2以上的高電流密度區(qū)會出現(xiàn)灰暗現(xiàn)象。當Cu2+濃度達600mg／L時，灰暗區(qū)擴大到2A／dm2以上的鍍層。
(六)穩(wěn)定劑AMT一1S對Sn2+的穩(wěn)定效果
二價錫離子在高溫下易被氧化而形成難溶的偏錫酸膠體，使溶液變混濁，因此用濁度計測定50℃和60℃時添加l5mL／L AMT一1S穩(wěn)定劑和不加穩(wěn)定劑溶液的混濁度就可以知道穩(wěn)定劑的穩(wěn)定效果。圖11-9是高溫處理一定時間后兩種溶液的混濁度的測定結果，由圖可見，加穩(wěn)定劑的溶液的混濁度遠比未加的為低，表明穩(wěn)定劑是有效的。
圖11-9在高溫時AMT-1S穩(wěn)定劑穩(wěn)定Sn2+的效果
若在加與不加穩(wěn)定劑的鍍錫液中分別加入雙氧水來加速Sn2+的氧化，再利用濁度計來測定溶液的混濁度，結果如圖ll-10所示，當加入雙氧水(30％)的量達7mL／L時，加穩(wěn)定劑鍍液的混濁度比未加穩(wěn)定劑的低好多倍，表明穩(wěn)定劑確有很好的穩(wěn)定 Sn2+的效果。
(七)絮凝劑AMT一1P對偏錫酸的沉降效果
在兩個裝有混濁鍍錫液的100mL量筒中，一個加入2mLAMT一1P絮凝劑，一個不加絮凝劑，將兩個量筒充分攪拌后靜置，記錄經(jīng)過不同時間后上層澄清液的體積(mL)，結果如圖11-11所示。
圖11-10雙氧水加速氧化時AMT一 1S穩(wěn)定劑穩(wěn)定Sn2+的效果
圖11-11絮凝劑AMT一1P對沉淀物的沉降效果
由圖ll-11可見，加絮凝劑后，上層澄清液的體積遠大于未加絮凝劑的，而且兩者之差隨著靜置時間的延長在加大，這說明加入絮凝劑后靜置時間越長，沉淀物的分離效果越好。
