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①通用陽(yáng)極氧化法
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硫酸 |
l80～ |
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溫度 |
l3- |
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電壓 |
l3～22V |
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時(shí)間 |
40min |
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電流密度 |
0．8～1． |
②快速陽(yáng)極氧化法
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硫酸 |
200～ |
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電流密度 |
0．8～1． |
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硫酸鎳 |
6～ |
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溫度 |
l3～ |
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電壓 |
l3--22V |
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時(shí)間 |
l5min |
③交流陽(yáng)極氧化法
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硫酸 |
l30～ |
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溫度 |
l3～ |
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電壓 |
l8--28V |
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時(shí)間 |
40～50min |
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電流密度 |
l．5～2． |
④低溫陽(yáng)極氧化法
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硫酸 |
l |
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溫度 |
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電壓 |
l0～90V |
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時(shí)間 |
60min |
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此法所獲膜厚達(dá) |
150～200pm。 |
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硫酸 |
200～ |
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電流密度 |
0．5～ |
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電壓 |
40～120V |
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時(shí)間 |
2～2．5h |
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溫度 |
-8～ |
膜厚可達(dá)250μm，絕緣性能極佳，可耐2000～2500V電壓。
獲得低溫的方法是采用循環(huán)水間接冷卻法，但是需要較大的地方配置循環(huán)冷水槽和冷機(jī)，現(xiàn)在已經(jīng)流行直接冷卻法，讓熱交換管直接與電解液進(jìn)行熱交換，冷媒效率提高的同時(shí)，占地也較小。
