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該成果針對(duì)金屬化電容器對(duì)鋁膜的要求，在實(shí)驗(yàn)室系統(tǒng)研究成功的基礎(chǔ)上，采用先進(jìn)的真空鍍膜設(shè)備進(jìn)行了擴(kuò)大試驗(yàn)和多批次試生產(chǎn)，研制成功真空鍍鋁新工藝，生產(chǎn)出高質(zhì)量的金屬化電容器用真空鍍鋁膜新材料。用以制成金屬化電容器，深受用戶工廠歡迎，證明研制的鋁膜質(zhì)量達(dá)到國際先進(jìn)水平，在國內(nèi)領(lǐng)先。利用研制的工藝和國產(chǎn)材料蒸鍍生產(chǎn)的鋁膜材料針孔數(shù)≤1/m，無折皺、劃傷、漏鍍、翹曲、變形等缺陷，屏蔽線偏移≤0.5m/m，反射率高達(dá)80-90%，其厚度偏差為2-3±0.7Ω/口。這些技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到日本JIS技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。這項(xiàng)研制成果用于阜新電子元件廠及寧波電容器廠，正式投產(chǎn)二年。每純鋁膜產(chǎn)品純利稅約為2-3萬元/噸，年產(chǎn)180噸。成果擴(kuò)大應(yīng)用于十馀工廠。
完成單位：中國科學(xué)院金屬研究所 阜新市電子元件廠
郵政編碼：110015
成果類別：應(yīng)用技術(shù)
成果水平：國際先進(jìn)
限制使用：國內(nèi)
成果密級(jí)：非密
鑒定日期：19851023
應(yīng)用行業(yè)：電線 電纜 光纜及電工器材制造 輸配電及控制設(shè)備制造
鑒定部門：中國科學(xué)院沈陽分院
轉(zhuǎn)讓方式：人員培訓(xùn)與技術(shù)咨詢
分類號(hào)：TM2、TM533.3
關(guān)鍵詞：電工材料 真空鍍鋁膜 金屬化云母電容器 材料 電容器 真空鍍鋁材料 金屬化電容器
