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該機(jī)是研究超導(dǎo)、類金剛石、光學(xué)、磁性等高質(zhì)量薄膜和材料表面改性的光機(jī)一體化的現(xiàn)代化鍍膜設(shè)備。該機(jī)采用四靶、雙離子源、離子源為考夫曼源。其原理是利用具有1500ev能量的正離子束或中性粒子轟擊靶材料，使材料表面的原子和分子從母材中濺射出來，沉積在基片上成膜。可鍍制任意材料，包括金屬、合金、超導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體等。該機(jī)采用80年代剛剛發(fā)展起來的離子束濺射技術(shù)，利用雙離子源、主槍，對靶材轟擊，輔槍在鍍前對基片進(jìn)行清洗，增強(qiáng)基片的活性，提高結(jié)合力及純度。沉積過程中低能轟擊膜，增強(qiáng)沉積原子表面擴(kuò)散和遷移，減少薄膜結(jié)晶結(jié)的缺陷，并配有對基片處理的各種功能，如加熱、冷卻、旋轉(zhuǎn)、激光處理、掩膜等。引出柵φ25mm離子能量，1500ev能量束流大于80mA。
完成單位：北京市海淀區(qū)燕山科學(xué)儀器聯(lián)合開發(fā)公司
聯(lián)系電話：(010)2562392
郵政編碼：100080
成果類別：應(yīng)用技術(shù)
成果水平：國際先進(jìn)
限制使用：國內(nèi)
成果密級：非密
鑒定日期：19901019
應(yīng)用行業(yè)：電子器件制造
鑒定部門：北京新技術(shù)開發(fā)區(qū)
轉(zhuǎn)讓方式：面議
分類號：TN305.8
