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該項(xiàng)目采用MOCVD工藝，在藍(lán)寶石襯底上制備了GaN、InGaN、InGaNAl GaN/InGaN、InGaN/InGaNAl等單層和復(fù)合薄膜;對上述材料進(jìn)行了形貌、界面超微觀結(jié)構(gòu)和成分觀察與分析;測定了薄膜和器件的電學(xué)、光學(xué)特性與電輸運(yùn)特性;建立GaN基發(fā)光薄膜體系的表面·界面和位錯(cuò)等缺陷形成的微區(qū)能級與Schottky能級之間關(guān)系的模型;研究了高亮度藍(lán)綠LED的發(fā)光特性與制備條件之間的關(guān)系，找出了最佳工藝條件;研究了藍(lán)寶石襯底的減薄工藝，藍(lán)、綠LED外延片的光刻工藝，芯片電極蒸鍍工藝，芯片劃片、裂片工藝。研制開發(fā)出基于氮化鎵材料的高亮度藍(lán)、綠LED外延片及其芯片。
完成單位：山西至誠科技有限公司
聯(lián)系電話：(0351)7030649
郵政編碼：030006
成果類別：應(yīng)用技術(shù)
成果水平：國際先進(jìn)
限制使用：國內(nèi)
成果密級：非密
鑒定日期：20030808
應(yīng)用行業(yè)：石墨及其他非金屬礦物制品制造
鑒定部門：山西省科學(xué)技術(shù)廳
轉(zhuǎn)讓方式：其他
分類號：TN304.2
