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可以用霍爾槽試片進(jìn)行鍍層厚度分布的測量，不過需要注意的是霍爾槽試片上的電流密度范圍雖然很寬，但整個(gè)試片的長度卻是有限的，這樣只能在試片上取若干個(gè)點(diǎn)來分別代表不同電流密度的區(qū)間，通常可以取5～10個(gè)點(diǎn)，這些點(diǎn)從高電流區(qū)到低電流區(qū)均勻分布，并且要除掉試片兩端各lcm的部位。從這些不同點(diǎn)得到的鍍層厚度，基本上就代表了不同電流密度下在同一時(shí)間內(nèi)所能鍍得的厚度值。
可以用霍爾槽試片進(jìn)行鍍層厚度分布的測量，不過需要注意的是霍爾槽試片上的電流密度范圍雖然很寬，但整個(gè)試片的長度卻是有限的，這樣只能在試片上取若干個(gè)點(diǎn)來分別代表不同電流密度的區(qū)間，通常可以取5～10個(gè)點(diǎn)，這些點(diǎn)從高電流區(qū)到低電流區(qū)均勻分布，并且要除掉試片兩端各lcm的部位。從這些不同點(diǎn)得到的鍍層厚度，基本上就代表了不同電流密度下在同一時(shí)間內(nèi)所能鍍得的厚度值。
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