| 簡(jiǎn)介 |
ITO透明導(dǎo)電氧化物（摻錫氧化銦Tin-doped IndiumOxide簡(jiǎn)稱ITO）薄膜材料，具有禁帶寬、可見(jiàn)光譜區(qū)光透射率高和電阻率低等共同光電特性。ITO材料研究與應(yīng)用較為廣泛、成熟，其中 ，大尺寸、高性能電子濺射靶（ITO靶材）是電子及信息產(chǎn)業(yè)不可缺少的材料，它廣泛用于電子線 路基板的鍍層；硬盤等耐磨鍍層；光、電、磁的功能膜層等，如計(jì)算機(jī)光盤、家庭映碟、筆計(jì)本電腦的顯示屏、太陽(yáng)能電池和其它節(jié)能產(chǎn)品等。僅可擦寫計(jì)算機(jī)光盤（必將取代軟盤）、DVD影碟 兩項(xiàng)預(yù)計(jì)到2000年底就可達(dá)20億張。因此，電子靶材一直是各國(guó)優(yōu)先發(fā)展的高新技術(shù)材料。我國(guó) 攻關(guān)計(jì)劃、863計(jì)劃、火炬計(jì)劃、自然科學(xué)基金、創(chuàng)新基金等都將其列為重點(diǎn)發(fā)展材料，國(guó)家發(fā)展 計(jì)劃委員會(huì)和國(guó)家科技部將其作為電子專用材料列入《當(dāng)前優(yōu)先發(fā)展的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化重點(diǎn)領(lǐng)域指南》，是國(guó)家近期產(chǎn)業(yè)化的重點(diǎn)，以提升我國(guó)的電子信息產(chǎn)業(yè)的水平。"多級(jí)受控制粉法制備ITO 復(fù)合粉"技術(shù)是基于反相膠團(tuán)微乳液技術(shù)及膠體化學(xué)法的基本原理，自主開(kāi)發(fā)并擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán) （國(guó)家專利局已受理"ITO復(fù)合粉未制備技術(shù)"的發(fā)明專利）其相關(guān)技術(shù)可開(kāi)發(fā)多種金屬超細(xì)粉未乃 至納米級(jí)材料的產(chǎn)品。本技術(shù)采用多級(jí)受控共沉淀法制備ITO復(fù)合粉末具有以下幾個(gè)特點(diǎn)：a. 可以精確控制化學(xué)組成；b. 容易添加微量有效成份，制成多種成分的均勻微粉體；c.超細(xì)顆粒的 表面活性好；d. 容易控制顆粒的形狀和粒徑；e. 工業(yè)化生產(chǎn)成本核算較低。主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo) ：多級(jí)受控共沉淀法制備的ITO復(fù)合粉末，平均粒徑小于30nm,純度大于99.99%,In2O3：SnO2(重 量比)=90：10，顆粒開(kāi)貌為球形，且顆粒純度均勻、流動(dòng)性好。用此ITO復(fù)合粉末制成的透明導(dǎo) 電薄膜，相對(duì)密度高達(dá)95-98%，光透過(guò)率達(dá)88-90%，方塊電阻小于100，完全滿足HTFT顯示器件 的應(yīng)用。產(chǎn)品先后送新加坡UNAXIS公司和北京安泰科技股份公司做壓靶試驗(yàn)取得成功。產(chǎn)品和工 藝于2001年5月經(jīng)過(guò)省級(jí)鑒定"產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到國(guó)際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平，制備技術(shù)居國(guó)內(nèi)先進(jìn)地位 "并申請(qǐng)了發(fā)明專利。 |
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