首先你有一個(gè)誤區(qū),你認(rèn)為陰極在鍍液里的“電力線”(我很反對(duì)這個(gè)說法,但是通俗的講這樣也確實(shí)最容易理解)分布是均勻的,也就是離子獲得電子被還原的能力,也可以理解為離子運(yùn)動(dòng)補(bǔ)充的速度,它服從一個(gè)規(guī)律,越靠近液面 能力越弱,越靠近容器邊界能力越弱,所以你底部的沉積速度快,頂部的沉積速度慢,這個(gè)是符合客觀規(guī)律的,
現(xiàn)在我們說改進(jìn),讓底部的滾筒靠近容器底部 這樣能減弱一定的沉積能力,然后我們要想辦法減弱離子進(jìn)入底部滾筒的能力,比如減少底部滾筒的孔眼,增強(qiáng)頂部滾筒的孔眼,這個(gè)程度需要自己去做實(shí)驗(yàn)來確認(rèn),
然后運(yùn)動(dòng)是有利于離子補(bǔ)充的,也就是電沉積的原材料---離子的多寡濃稀直接影響電沉積的速率,好吧 我們讓底部的滾筒線速度減弱,頂部的線速度增強(qiáng),
上述幾種都能規(guī)避你所遇到的問題
一年沒來這里了 順便鄙視下自問自答的ad開頭的一串字母的那個(gè)水貨“工程師”